Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
HMOS — bezeichnet eine Halbleitertechnik Generation und ist ein Akronym für das englische high performance MOS (engl. für Metall Oxid Halbleiter). HMOS findet in integrierten Schaltkreisen hoher Packungsdichte mit NMOS Logik Anwendung. HMOS Generationen … Deutsch Wikipedia
High-Density Metal Oxide Semiconductor — HMOS bezeichnet eine Halbleitertechnik Generation und ist ein Akronym für das englische high performance MOS (engl. für Metall Oxid Halbleiter). HMOS findet in integrierte Schaltkreise hoher Packungsdichte mit NMOS Technik Anwendung. HMOS… … Deutsch Wikipedia
Hmos — bezeichnet eine Halbleitertechnik Generation und ist ein Akronym für das englische high performance MOS (engl. für Metall Oxid Halbleiter). HMOS findet in integrierte Schaltkreise hoher Packungsdichte mit NMOS Technik Anwendung. HMOS Generationen … Deutsch Wikipedia
délai du signal de porte — loginio elemento vėlinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. gate delay vok. Gatterverzögerung, f rus. задержка логического элемента, f pranc. délai du signal de porte, m … Radioelektronikos terminų žodynas
gate delay — loginio elemento vėlinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. gate delay vok. Gatterverzögerung, f rus. задержка логического элемента, f pranc. délai du signal de porte, m … Radioelektronikos terminų žodynas
loginio elemento vėlinimas — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. gate delay vok. Gatterverzögerung, f rus. задержка логического элемента, f pranc. délai du signal de porte, m … Radioelektronikos terminų žodynas
задержка логического элемента — loginio elemento vėlinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. gate delay vok. Gatterverzögerung, f rus. задержка логического элемента, f pranc. délai du signal de porte, m … Radioelektronikos terminų žodynas
